Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=8 A, 3针, SOT-23, SQ系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 25 件）*

RMB77.95

(不含税)

RMB88.075

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 525 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
25 - 25RMB3.118RMB77.95
50 - 75RMB3.054RMB76.35
100 - 225RMB2.776RMB69.40
250 - 975RMB2.718RMB67.95
1000 +RMB2.666RMB66.65

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
280-0011
制造商零件编号:
SQ2348CES-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

SQ

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.042Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

正向电压 Vf

0.81V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

3W

最高工作温度

175°C

长度

3.04mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Vishay Automotive MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

AEC-Q101 认证

完全无铅 (Pb) 的器件

相关链接