Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=30 V, Id=6 A, 8针, PowerPAK, SQ2310CES系列
- RS 库存编号:
- 653-114
- 制造商零件编号:
- SQ2310CES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 653-114
- 制造商零件编号:
- SQ2310CES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SQ2310CES | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.03Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 2.64mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SQ2310CES | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.03Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.12mm | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 2.64mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay 紧凑型汽车级 N 通道 MOSFET 专为低电压切换应用而设计。具有 20 V 的排水源额定电压和 175 °C 的最大接线温度,特别适用于空间受限、热要求严苛的环境。它采用 SOT-23 封装,并利用 TrenchFET 技术实现高效性能。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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