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Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=504 A, 8针, SO-8SW, SQRS140ELP系列

Name: Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=504 A, 8针, SO-8SW, SQRS140ELP系列
Brand: Vishay
SKU: 280-0025
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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	504A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	SO-8SW
	系列	SQRS140ELP
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	40V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 504A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 SO-8SW
	系列 SQRS140ELP
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 40V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Vishay Automotive MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

AEC-Q101 认证

完全无铅 (Pb) 的器件

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