STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=2.4 A, 4针, SOT-223, STripFET系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 包,共 5 件)*

RMB35.79

(不含税)

RMB40.45

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 335 件将从其他地点发货
  • 另外 1,965 件在 2026年10月07日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 995RMB7.158RMB35.79
1000 - 1995RMB6.946RMB34.73
2000 +RMB6.734RMB33.67

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
486-2149
Distrelec 货号:
304-42-966
制造商零件编号:
STN2NF10
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.4A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

260mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最大功耗 Pd

3.3W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


相关链接