制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=1 A, 4针, SOT-223, STN系列

RS 库存编号:: 151-424
制造商零件编号:: STN4NF20L
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=1 A, 4针, SOT-223, STN系列

小计（1 卷，共 4000 件）*

RMB7,652.00

(不含税)

RMB8,648.00

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单位	每单位	每卷*
4000 +	RMB1.913	RMB7,652.00

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RS 库存编号:: 151-424
制造商零件编号:: STN4NF20L
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	SOT-223
	系列	STN
	安装类型	表面安装
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.5Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.9nC
	正向电压 Vf	1.6V
	最大功耗 Pd	3.3W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 SOT-223
	系列 STN
	安装类型表面安装
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.5Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC
	正向电压 Vf 1.6V
	最大功耗 Pd 3.3W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - STN4NF20L

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics 功率 MOSFET 系列采用 STripFET 工艺开发，该工艺专为最大限度地减少输入电容和栅极电荷而设计。因此，该器件适合用作先进的高效隔离式直流到直流转换器的主开关。

卓越的 dv/dt 能力

100% 经过雪崩测试

低栅极电荷

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=1 A, 4针, SOT-223, STN系列

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