STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 1 A, SOT-223, 4引脚, STN4NF20L, STN系列
- RS 库存编号:
- 151-424
- 制造商零件编号:
- STN4NF20L
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥6,560.00
(不含税)
¥7,400.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月13日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB1.64 | RMB6,560.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-424
- 制造商零件编号:
- STN4NF20L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | STN | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 3.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 STN | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 3.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 功率 MOSFET 系列采用 STripFET 工艺开发，该工艺专为最大限度地减少输入电容和栅极电荷而设计。因此，该器件适合用作先进的高效隔离式直流到直流转换器的主开关。
卓越的 dv/dt 能力
100% 经过雪崩测试
低栅极电荷