Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 21 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 540-9727
- Distrelec 货号:
- 301-91-590
- 制造商零件编号:
- IRFP9140PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥20.38
(不含税)
¥23.03
(含税)
有库存
- 220 件将从其他地点发货
- 另外 227 件在 2025年12月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB20.38 |
| 25 - 99 | RMB19.88 |
| 100 - 249 | RMB19.39 |
| 250 - 499 | RMB18.90 |
| 500 + | RMB18.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 540-9727
- Distrelec 货号:
- 301-91-590
- 制造商零件编号:
- IRFP9140PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 180 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 180 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 5.31mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 20.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
Vishay 第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速切换，耐震设备设计，低接通电阻和成本效益的最佳组合。
动态 dV/dt 额定值
重复性耐雪崩等级
快速切换
易于并联
重复性耐雪崩等级
快速切换
易于并联
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor