Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=600 mA, 4针, HVMDIP, IRFD系列
- RS 库存编号:
- 541-0531
- 制造商零件编号:
- IRFD210PBF
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- IRFD210PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 600mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IRFD | |
| 包装类型 | HVMDIP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 3.37mm | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 600mA | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IRFD | ||
包装类型 HVMDIP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.2nC | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 3.37mm | ||
宽度 6.29mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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