Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=7.8 A, 3针, TO-247, IRFP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
541-1089
制造商零件编号:
IRFPE50PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.8A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

IRFP

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.2Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

200nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

190W

正向电压 Vf

1.8V

最高工作温度

150°C

宽度

5.31mm

长度

15.87mm

标准/认证

No

高度

20.7mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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