Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 10 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRL520NPBF, LogicFET系列

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RS 库存编号:
541-1196
Distrelec 货号:
303-41-391
制造商零件编号:
IRL520NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

LogicFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

48W

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

8.77mm

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

汽车标准

Distrelec Product Id

30341391

英飞凌 LogicFET 系列 MOSFET,10A 最大连续漏极电流,48W 最大功率耗散 - IRL520NPBF


这款 MOSFET 专为各种大功率应用而设计。其 N 沟道配置和增强模式功能使其适用于自动化和电气领域的开关和放大任务。它的最大连续漏极电流为 10 A,最大漏极-源极电压为 100 V,可在苛刻的环境中提供稳定的性能。TO-220AB 封装类型有利于在不同的安装环境下进行有效的热管理。

特点和优势


• 功率耗散能力高达 48W,性能稳定可靠

• 180mΩ 的低漏极-源极电阻提高了效率

• 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C )确保了可靠性

• 适合通孔安装,便于集成

• 增强型栅极阈值电压介于 1V 和 2V 之间,优化了控制效果

• 单晶体管配置简化了设计和装配

应用


• 用于电源电路,实现高效电压调节

• 电流容量大,可用于电机控制系统

• 适用于工业自动化领域的有效开关操作

• 集成到电源管理解决方案中,实现高能效设计

建议采用哪种冷却方式以获得最佳性能?


有效的散热对于保持运行效率和防止过热至关重要,尤其是在高负载条件下。

能否直接用其他 MOSFET 替代?


虽然可以直接替换,但必须考虑电流和电压额定值等规格以及栅极驱动要求,以确保兼容性和功能性。

建议的最大栅源电压是多少?


最大栅极源极电压不应超过 -16V 至 +16V,以避免损坏器件并确保可靠运行。

在安装过程中应如何处理这个 MOSFET?


使用静电放电 (ESD) 预防措施并确保安全连接,以防止安装到电路中后出现故障或间歇性运行。

它适合高频应用吗?


这种 MOSFET 适合开关应用,但应注意栅极驱动速度和负载条件,以避免在较高频率下性能下降。