Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=900 V, Id=3.6 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFBE系列

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RS 库存编号:
542-9557
制造商零件编号:
IRFBF30PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

900V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

IRFBE

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.7Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最大功耗 Pd

125W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS 2002/95/EC

宽度

4.7mm

高度

9.01mm

长度

10.41mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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