onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=170 mA, 3针, SOT-23, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB14.34

(不含税)

RMB16.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 1,410 件在 2026年9月28日 发货
  • 另外 26,880 件在 2026年10月05日 发货
  • 另外 3,000 件在 2027年5月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
10 - 10RMB1.434RMB14.34
20 - 40RMB1.423RMB14.23
50 - 90RMB1.382RMB13.82
100 - 190RMB1.354RMB13.54
200 +RMB1.326RMB13.26

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
671-0321
Distrelec 货号:
304-43-725
制造商零件编号:
BSS123
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

170mA

最大漏源电压 Vd

100V

系列

PowerTrench

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.8nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

360mW

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.3mm

高度

0.93mm

长度

2.92mm

汽车标准

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接