onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=5.5 A, 8针, SOIC, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
包装方式：
RS 库存编号:
671-0655
制造商零件编号:
FDS6930B
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.5A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

PowerTrench

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

62mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.8nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

1.2V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

PowerTrench® 双 N 沟道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


ON Semi PowerTrench® MOSFET 是经过优化的功率开关器件，可提升系统效率与功率密度。该器件融合了低栅极电荷、快速反向恢复特性以及软恢复体二极管设计，有助于实现交直流电源同步整流电路的高速开关性能。

PowerTrench® MOSFET 的软体二极管性能可省去缓冲电路，或替代更高额定电压的 MOSFET。

MOSFET 晶体管，ON Semi


><

ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。

相关链接