onsemi , 2 N型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.5 A, SOIC, 表面, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列, FDS6930B
- RS 库存编号:
- 671-0655
- 制造商零件编号:
- FDS6930B
- 制造商:
- onsemi
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- FDS6930B
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 62mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 62mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
PowerTrench® 双 N 沟道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
ON Semi PowerTrench® MOSFET 是经过优化的功率开关器件，可提升系统效率与功率密度。该器件融合了低栅极电荷、快速反向恢复特性以及软恢复体二极管设计，有助于实现交直流电源同步整流电路的高速开关性能。
PowerTrench® MOSFET 的软体二极管性能可省去缓冲电路，或替代更高额定电压的 MOSFET。
MOSFET 晶体管，ON Semi
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ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。