onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=15 A, 8针, SOIC, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB32.03

(不含税)

RMB36.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 2,070 个，准备发货

单位
每单位
每包*
5 - 620RMB6.406RMB32.03
625 - 1245RMB6.214RMB31.07
1250 +RMB6.024RMB30.12

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
671-0731
制造商零件编号:
FDS8896
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

PowerTrench

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

-20, +20V

最高工作温度

150°C

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

4mm

高度

1.5mm

汽车标准

否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接