STMicroelectronics N沟道增强型SuperMESH 功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-263, SuperMESH系列

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RS 库存编号:
687-5190
制造商零件编号:
STB4NK60ZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

SuperMESH功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SuperMESH

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30, +30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.8nC

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

70W

最高工作温度

150°C

宽度

9.35mm

标准/认证

JEDEC JESD97

高度

4.6mm

长度

10.4mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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