STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1 kV, 8.3 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
687-5318P
制造商零件编号:
STW11NK100Z
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

8.3A

最大漏源电压 Vd

1kV

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.38Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

113nC

最大功耗 Pd

230W

最高工作温度

150°C

宽度

5.15 mm

标准/认证

No

长度

15.75mm

高度

20.15mm

汽车标准

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics