Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=97 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

RS 库存编号:: 688-6954
制造商零件编号:: IRFB4410ZPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=97 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 688-6954
制造商零件编号:: IRFB4410ZPBF
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	97A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	9mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	230W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	83nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	4.82mm
	长度	10.66mm
	高度	9.02mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 97A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 9mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 230W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 4.82mm
	长度 10.66mm
	高度 9.02mm
	汽车标准否

Infineon HEXFET系列 MOSFET，100V最大漏源电压，97A最大连续漏极电流 - IRFB4410ZPBF

该MOSFET是一款高功率开关晶体管，专为在功率电子组件中进行通孔安装而设计。它作为一款N沟道增强型器件工作，能够在宽环境温度范围内处理大持续漏极电流和高漏源电压，因而适用于严苛的热环境和常规散热配置。

特性和优点：

• 100V漏源电压，支持高压开关
• 97A持续电流，支持重载应用
• 9mΩ导通电阻可将工作期间的导通损耗降至最低
• 230W 耗散功率支持持续高功率使用
• 83nC典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 20V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量

应用

• 适用于工业电机驱动变频器级应用
• 适用于大电流DCDC转换器和电源
• 用于电信和服务器电源的电源切换
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于实验室电力电子原型开发

提供哪种封装类型用于安装和散热？

它以TO-220通孔封装形式提供，便于牢固安装至PCB，并可轻松连接至电子散热器以实现热管理。

在开关性能方面，我应该考虑哪些栅极驱动因素？

在标准栅极电压下，典型总栅极电荷预计为83nC

设计栅极驱动器，使其能够提供和吸收足够的电流，以满足目标开关速度，同时管理开关损耗。

结温范围对于部署有何影响？

该器件的额定工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，在采取适当热设计的前提下，可用于环境温度和结温变化范围较广的应用。

导通时的正向电压是多少？有何意义？

在规定条件下，正向导通电压为1.3V，这有助于在进行热预算和功率预算规划时计算整体导通损耗。