Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=97 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 145-9198
- 制造商零件编号:
- IRFB4410ZPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 145-9198
- 制造商零件编号:
- IRFB4410ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 97A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 230W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 97A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 230W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.66mm | ||
高度 9.02mm | ||
宽度 4.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET系列 MOSFET，100V最大漏源电压，97A最大连续漏极电流 - IRFB4410ZPBF
该MOSFET是一款高功率开关晶体管，专为在功率电子组件中进行通孔安装而设计。它作为一款N沟道增强型器件工作，能够在宽环境温度范围内处理大持续漏极电流和高漏源电压，因而适用于严苛的热环境和常规散热配置。
特性和优点：
• 100V漏源电压，支持高压开关
• 97A持续电流，支持重载应用
• 9mΩ导通电阻可将工作期间的导通损耗降至最低
• 230W 耗散功率支持持续高功率使用
• 83nC典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 20V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量
• 97A持续电流，支持重载应用
• 9mΩ导通电阻可将工作期间的导通损耗降至最低
• 230W 耗散功率支持持续高功率使用
• 83nC典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 20V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量
应用
• 适用于工业电机驱动变频器级应用
• 适用于大电流DCDC转换器和电源
• 用于电信和服务器电源的电源切换
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于实验室电力电子原型开发
• 适用于大电流DCDC转换器和电源
• 用于电信和服务器电源的电源切换
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于实验室电力电子原型开发
提供哪种封装类型用于安装和散热？
它以TO-220通孔封装形式提供，便于牢固安装至PCB，并可轻松连接至电子散热器以实现热管理。
在开关性能方面，我应该考虑哪些栅极驱动因素？
在标准栅极电压下，典型总栅极电荷预计为83nC
设计栅极驱动器，使其能够提供和吸收足够的电流，以满足目标开关速度，同时管理开关损耗。
结温范围对于部署有何影响？
该器件的额定工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，在采取适当热设计的前提下，可用于环境温度和结温变化范围较广的应用。
导通时的正向电压是多少？有何意义？
在规定条件下，正向导通电压为1.3V，这有助于在进行热预算和功率预算规划时计算整体导通损耗。
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