IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=48 A, 3针, TO-264, HiperFET系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 件)*

RMB218.86

(不含税)

RMB247.31

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 3 件将从其他地点发货
  • 另外 267 件在 2026年10月02日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
1 - 6RMB218.86
7 - 34RMB217.36
35 +RMB213.03

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
711-5367
Distrelec 货号:
302-53-350
制造商零件编号:
IXFK48N50
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

48A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-264

系列

HiperFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

270nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

长度

19.96mm

高度

26.16mm

标准/认证

No

宽度

5.13mm

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列


MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

相关链接