制造商编号

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 48 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, HiperFET系列

RS 库存编号:: 920-0870
制造商零件编号:: IXFK48N50
制造商:: IXYS

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 48 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, HiperFET系列

可享批量折扣

小计（1 管，共 25 件）*

¥4,731.45

(不含税)

¥5,346.55

有库存

另外 300 件在 2025年12月08日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
25 - 25	RMB189.258	RMB4,731.45
50 - 75	RMB183.087	RMB4,577.18
100 +	RMB179.425	RMB4,485.63

* 参考价格

RS 库存编号:: 920-0870
制造商零件编号:: IXFK48N50
制造商:: IXYS

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	IXYS
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	48 A
	最大漏源电压	500 V
	系列	HiperFET
	封装类型	TO-264AA
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	100 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最大功率耗散	500 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	最高工作温度	+150 °C
	典型栅极电荷@Vgs	270 nC @ 10 V
	长度	19.96mm
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	5.13mm
	最低工作温度	-55 °C
	高度	26.16mm

	选择全部
	品牌 IXYS
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 48 A
	最大漏源电压 500 V
	系列 HiperFET
	封装类型 TO-264AA
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 100 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最大功率耗散 500 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	最高工作温度 +150 °C
	典型栅极电荷@Vgs 270 nC @ 10 V
	长度 19.96mm
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 5.13mm
	最低工作温度 -55 °C
	高度 26.16mm

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ 系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，IXYS