Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.7 A, 3针, SOT-23, HEXFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 20 件）*

RMB35.16

(不含税)

RMB39.74

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 20 件在 2026年9月28日 发货
  • 另外 3,960 件在 2026年9月28日 发货
  • 另外 67,160 件在 2026年10月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
20 - 20RMB1.758RMB35.16
40 - 80RMB1.727RMB34.54
100 - 180RMB1.684RMB33.68
200 +RMB1.642RMB32.84

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
725-9341
制造商零件编号:
IRLML0060TRPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

92mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.5nC

最大功耗 Pd

1.25W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

-16V, +16V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.4mm

高度

1.02mm

长度

3.04mm

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

相关链接