Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 8.8 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 753-3188
- 制造商零件编号:
- SPD08P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- SPD08P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 42 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
高度 2.41mm | ||
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。