onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=52 A, 3针, TO-263, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 759-8983P
- 制造商零件编号:
- FDB52N20TM
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 759-8983P
- 制造商零件编号:
- FDB52N20TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | UniFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 49mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 357W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.98mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10.16mm | |
| 高度 | 4.572mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 UniFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 49mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 357W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.98mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10.16mm | ||
高度 4.572mm | ||
汽车标准 否 | ||
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。