onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=24 A, 8针, PQFN-8, UltraFET系列

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RS 库存编号:
759-9140
制造商零件编号:
FDMS2572
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

PQFN-8

系列

UltraFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

103mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

31nC

最大功耗 Pd

78W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

长度

5mm

高度

0.75mm

标准/认证

No

宽度

6mm

汽车标准

否

UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。

应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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