STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=75 V, Id=120 A, 3针, TO-263, STripFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
760-9828
制造商零件编号:
STB160N75F3
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

75V

系列

STripFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85nC

最大功耗 Pd

330W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

175°C

长度

10.75mm

标准/认证

No

宽度

10.4mm

高度

4.6mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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