Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, EFLIP, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 761-7021P
- 制造商零件编号:
- UPA2350BT1G-E4-A
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 30 - 147 | RMB3.713 |
| 150 - 297 | RMB3.603 |
| 300 + | RMB3.497 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-7021P
- 制造商零件编号:
- UPA2350BT1G-E4-A
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 封装类型 | EFLIP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.47mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 4 V | |
| 宽度 | 1.47mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 0.2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
封装类型 EFLIP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 55 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.47mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4 V | ||
宽度 1.47mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 0.2mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
N 通道双 MOSFET，Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)