Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 40 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
768-9307P
制造商零件编号:
SISA04DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.1mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

52W

正向电压 Vf

0.73V

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

标准/认证

No

宽度

3.15 mm

长度

3.15mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor