onsemi , 2 N型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 880 mA, SC-88, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 780-0614P
- 制造商零件编号:
- NTJD4158CT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥1,091.25
(不含税)
¥1,233.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1475 | RMB1.455 |
| 1500 + | RMB1.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0614P
- 制造商零件编号:
- NTJD4158CT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 880mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 500mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 正向电压 Vf | 0.65V | |
| 最大功耗 Pd | 270mW | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 880mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SC-88 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 500mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
正向电压 Vf 0.65V | ||
最大功耗 Pd 270mW | ||
最低工作温度 150°C | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
宽度 1.35 mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。