onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.3 A, SC-70, 表面安装, 3引脚, NTS4173PT1G
- RS 库存编号:
- 780-4761
- 制造商零件编号:
- NTS4173PT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.594 | RMB39.85 |
| 50 - 100 | RMB1.554 | RMB38.85 |
| 125 - 225 | RMB1.516 | RMB37.90 |
| 250 - 475 | RMB1.478 | RMB36.95 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-4761
- 制造商零件编号:
- NTS4173PT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 350mW | |
| 正向电压 Vf | -1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 350mW | ||
正向电压 Vf -1V | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.2mm | ||
宽度 1.35 mm | ||
高度 0.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||