STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=710 V, 28 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M5系列
- RS 库存编号:
- 783-2996
- 制造商零件编号:
- STW34N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 件）*
¥48.44
(不含税)
¥54.74
(含税)
有库存
- 另外 479 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB48.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 783-2996
- 制造商零件编号:
- STW34N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 28 A | |
| 最大漏源电压 | 710 V | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 28 A | ||
最大漏源电压 710 V | ||
系列 MDmesh M5 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 110 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 190 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
宽度 5.15mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 20.15mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics