STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=710 V, Id=28 A, 3针, TO-247, MDmesh M5系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 30 件）*

RMB1,218.18

(不含税)

RMB1,376.55

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 450 个，准备发货

单位
每单位
Per Tube*
30 - 120RMB40.606RMB1,218.18
150 +RMB39.793RMB1,193.79

* 参考价格

RS 库存编号:
168-7619
制造商零件编号:
STW34N65M5
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

28A

最大漏源电压 Vd

710V

系列

MDmesh M5

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

62.5nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

-25, +25V

最大功耗 Pd

190W

最高工作温度

150°C

宽度

5.15mm

标准/认证

No

高度

20.15mm

长度

15.75mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics


MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


相关链接