Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 20 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4090DY-T1-GE3, ThunderFET系列

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制造商零件编号:
SI4090DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

ThunderFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

12mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45.6nC

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

7.8W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4 mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET®,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor