Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 4针, SOT-669

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB77.78

(不含税)

RMB87.89

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年1月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 20RMB15.556RMB77.78
25 - 95RMB15.136RMB75.68
100 - 245RMB14.688RMB73.44
250 - 495RMB14.368RMB71.84
500 +RMB14.214RMB71.07

* 参考价格

包装方式：

替代产品

该产品我们目前不提供。 这是我们推荐的替代产品。

presentation
Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=166 A, 4针, SO-8L, SQJ162EP系列
RS 库存编号
280-0018

个（每带 3000 ）

RMB16,449.00

(不含税)

RMB18,587.37

(含税)

RS 库存编号:
798-2996
制造商零件编号:
PSMN5R5-60YS,115
制造商:
Nexperia
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-669

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

8.3mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

130W

最高工作温度

175°C

宽度

4.1mm

长度

5mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


相关链接