Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 82 A, SOT-669, 表面安装, 4引脚, PSMN8R2-80YS,115

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798-3031
制造商零件编号:
PSMN8R2-80YS,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

82A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

SOT-669

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

13.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

130W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最高工作温度

175°C

长度

5mm

宽度

4.1 mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 MOSFET,60V 至 80V,Nexperia


MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors