onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=23 A, 3针, TO-252, NTD6415ANL系列

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包装方式：
RS 库存编号:
802-1030
制造商零件编号:
NTD6415ANLT4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252

系列

NTD6415ANL

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

56mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

83W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

高度

2.38mm

宽度

6.22mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

汽车标准

AEC-Q101

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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