Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=12 A, 6针, US, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 814-1213P
- 制造商零件编号:
- SIA449DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 760 件 (以卷装提供)*
RMB2,632.64
(不含税)
RMB2,974.64
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,920 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 760 - 1480 | RMB3.464 |
| 1500 + | RMB3.361 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1213P
- 制造商零件编号:
- SIA449DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.038Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 19W | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 2.15mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.038Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 19W | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 2.15mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 2.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN