Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 12 A, US, 表面安装, 6引脚, SIA449DJ-T1-GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SIA449DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

US

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.038Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23.1nC

最大功耗 Pd

19W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-0.8V

最大栅源电压 Vgs

12 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

2.15 mm

高度

0.8mm

长度

2.15mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor