制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=11.6 A, 8针, PowerPAK ChipFET, Si5418DU系列

RS 库存编号:: 818-1318
制造商零件编号:: SI5418DU-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=11.6 A, 8针, PowerPAK ChipFET, Si5418DU系列

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RS 库存编号:: 818-1318
制造商零件编号:: SI5418DU-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	11.6A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	PowerPAK ChipFET
	系列	Si5418DU
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	18.5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	31W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	20nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.8V
	最高工作温度	150°C
	高度	0.85mm
	宽度	1.98mm
	标准/认证	No
	长度	3.08mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 11.6A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 PowerPAK ChipFET
	系列 Si5418DU
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 18.5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 31W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.8V
	最高工作温度 150°C
	高度 0.85mm
	宽度 1.98mm
	标准/认证 No
	长度 3.08mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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