Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=6.2 A, 8针, SOIC, SQ Rugged系列

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包装方式：
RS 库存编号:
819-3920
制造商零件编号:
SQ4431EY-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

SQ Rugged

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

6W

正向电压 Vf

-1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

高度

1.55mm

长度

5mm

宽度

4mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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