DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=600 mA, 3针, SOT-23, DMN2005K系列

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包装方式:
RS 库存编号:
822-2545
制造商零件编号:
DMN2005K-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

600mA

最大漏源电压 Vd

20V

系列

DMN2005K

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.7V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.5nC

最大功耗 Pd

350mW

最大栅源电压 Vgs

10V

最低工作温度

-65°C

最高工作温度

150°C

长度

3mm

高度

1mm

宽度

1.4mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.


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