Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS P系列

RS 库存编号:: 825-9130
制造商零件编号:: BSZ086P03NS3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS P系列

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RS 库存编号:: 825-9130
制造商零件编号:: BSZ086P03NS3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS P
	包装类型	TSDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	13.4mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	43.2nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	69W
	最大栅源电压 Vgs	-25V, +25V
	正向电压 Vf	-1.1V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	3.4mm
	高度	1.1mm
	长度	3.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS P
	包装类型 TSDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 13.4mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.2nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 69W
	最大栅源电压 Vgs -25V, +25V
	正向电压 Vf -1.1V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 3.4mm
	高度 1.1mm
	长度 3.4mm
	汽车标准否

Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V漏源电压，40A连续漏极电流 - BSZ086P03NS3GATMA1

该MOSFET是一款P‑沟道增强型器件，专为工业温度环境中的表面‑贴装功率开关应用而设计。它可在宽环境温度范围内工作，适用于需要紧凑型、薄型‑封装的大电流开关应用。

特性和优点：

• 30V漏源极额定电压，支持低压‑电源轨
• 40A连续漏极电流，支持大‑电流开关
• 13.4mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 69W最大功耗可管理热负载
• 典型栅极电荷为43.2 nC，兼顾开关速度和驱动需求
• 25V 最大栅源电压，可实现强大的栅极‑驱动裕量

应用

• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于DC电机控制和驱动级应用
• 用于电信和服务器电源系统的负载切换
• 可用于电池管理和配电电路
• 适用于需要薄型‑元件的紧凑型电源模块

PCB组装预期将采用哪种封装类型？

它采用8‑针TSDSON表面贴装‑封装，适用于自动化拾‑放‑和回流焊工艺。

该器件在运行过程中如何应对宽温度范围？

该元件的额定工作温度范围为-55°C至150°C，在采取适当的热管理措施后，可在严苛的工业温度条件下使用。

栅极驱动器必须适应哪种沟道导通极性？

该器件为P‑沟道，因此必须针对P型‑增强型工作模式配置栅极‑驱动逻辑，并提供适当的‑上拉/下拉‑信号。

是否有需要考虑的安装或型材方面的优势？

1.1mm 的低‑封装高度支持空间‑受限的布局，并可在紧凑型电源设计中实现高密度组装。