Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 825-9134
- 制造商零件编号:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 825-9134
- 制造商零件编号:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 OptiMOS P | ||
包装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.2nC | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
不适用
Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，40A最大连续漏极电流 - BSZ086P03NS3EGATMA1
该MOSFET是一款P‑沟道增强型器件，专为紧凑型表面‑贴装组件的大‑电流开关而设计。它能在宽温度范围内运行，适用于严苛的电子环境，可承受巨大的漏极电流和功耗。该封装采用低‑剖面8‑针TSDSON，可实现高效PCB安装与散热性能。
特性和优点：
• 低导通‑电阻可降低大电流条件下的导通损耗
• 40A 持续漏极电流，支持重载开关
• 69W 最大功耗，可实现更高的功率处理
• 43.2nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 25V 栅极容差，可实现稳健的栅极‑驱动裕量
• 30V 漏‑源额定值，适用于中等电压系统设计
• 40A 持续漏极电流，支持重载开关
• 69W 最大功耗，可实现更高的功率处理
• 43.2nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 25V 栅极容差，可实现稳健的栅极‑驱动裕量
• 30V 漏‑源额定值，适用于中等电压系统设计
应用
• 适用于‑负载点‑电源转换模块
• 适用于同步降压转换器开关
• 与电力系统的电池管理电路配套使用
• 可用于电机‑驱动器低‑侧/电源‑路径控制
• 适用于电信和服务器电源轨
• 适用于同步降压转换器开关
• 与电力系统的电池管理电路配套使用
• 可用于电机‑驱动器低‑侧/电源‑路径控制
• 适用于电信和服务器电源轨
它在运行期间能承受怎样的极端温度？
其规定工作温度范围为-55°C至150°C，可适应宽环境温度和结温变化。
它有多少个引脚？采用哪种安装方式？
该器件采用 8 ‑针封装，适用于TSDSON 封装的表面安装。
哪些电气特性限制了导通损耗？
该器件的最大漏‑源电阻为 13.4mΩ，控制接通‑状态电压降和效率。
哪些栅‑极驱动因素与开关设计相关？
典型栅极电荷为 43.2nC，最大栅‑源额定值为 25V，驱动电路必须在提供足够电荷的同时保持在电压限制范围内。
相关链接
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