Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=120 A, 3针, TO-263, OptiMOS 3系列

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包装方式：
RS 库存编号:
825-9235
制造商零件编号:
IPB027N10N3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

155nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

300W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

宽度

9.45mm

长度

10.31mm

高度

4.57mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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