Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, OptiMOS 2系列

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RS 库存编号:
827-0109
制造商零件编号:
BSS806NEH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

OptiMOS 2

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.7nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.82V

最大栅源电压 Vgs

8 V

最大功耗 Pd

500mW

最高工作温度

150°C

高度

1mm

宽度

1.3 mm

标准/认证

No

长度

2.9mm

Distrelec Product Id

304-44-429

汽车标准

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列


Infineon OptiMOS™2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。