Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=540 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 827-0027
- 制造商零件编号:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 827-0027
- 制造商零件编号:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 540mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 825mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 540mA | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 825mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
长度 2.9mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS系列MOSFET，55V漏源电压，540mA连续漏极电流 - BSS670S2LH6327XTSA1
该MOSFET是一款小信号N沟道晶体管，专为紧凑型电子系统中的表面贴装开关应用而设计。它适用于需要受控增强型开关且电压和电流额定值适中的应用，并已通过汽车环境认证。
特性和优点：
• 55V漏极耐压支持更高电压的开关电路
• 825mΩ 低导通电阻，可最大限度降低低电流路径中的导通损耗
• 540mA持续漏极电流支持稳态负载
• 1.7nC典型栅极电荷，可实现高效高速开关
• 360mW功耗适合中等热预算设计
• 工作温度范围为-55°C至150°C，可适应宽温环境
• 825mΩ 低导通电阻，可最大限度降低低电流路径中的导通损耗
• 540mA持续漏极电流支持稳态负载
• 1.7nC典型栅极电荷，可实现高效高速开关
• 360mW功耗适合中等热预算设计
• 工作温度范围为-55°C至150°C，可适应宽温环境
应用
• 适用于汽车传感器接口切换
• 适用于紧凑型模块的DC负载切换
• 与电池管理辅助电路配合使用
• 可用于低功率转换器的栅极驱动器
• 用于混合信号板的信号级切换
• 适用于紧凑型模块的DC负载切换
• 与电池管理辅助电路配合使用
• 可用于低功率转换器的栅极驱动器
• 用于混合信号板的信号级切换
小型封装有哪些安装注意事项？
该器件采用三引脚SOT-23封装，适用于表面贴装，因此在设计时应规划焊盘的热释放结构及焊角，以妥善处理其360mW功耗。
栅极驱动对开关性能有何影响?
将栅极驱动电压提升至20V可增大导通裕量，而1.7nC栅极电荷则决定了实现所需上升/下降时间所需的驱动电流。
该器件在持续负载条件下的表现如何？
在遵守热限制且环境条件允许充分散热的前提下，它可以持续承载高达540mA的电流。
该组件是否符合汽车级认证要求？
它符合AEC‑Q101要求，适用于需要满足该标准的汽车电子应用。
相关链接
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