Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=33 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-4114
制造商零件编号:
IRFS4615TRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

42mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

144W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

9.65mm

长度

10.67mm

高度

4.83mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

InfineonHEXFET系列 MOSFET，最大漏源电压150V，最大连续漏极电流 33A - IRFS4615TRLPBF


该MOSFET是一款高压N沟道增强型晶体管，专为表面贴装组件的功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛的热环境，同时为中高电流应用提供受控的栅极驱动开关。

特性和优点：


• 150V漏源耐压，提供高压开关能力
• 33A连续漏极电流支持大负载电流
• 42mΩ导通电阻，可最大程度降低重负载条件下的导通损耗
• 典型栅极电荷为26nC，可实现可预测的驱动要求
• 144W 最大功耗可应对高功率水平
• 20V 栅源限值可防止过高的栅极应力

应用


• 适用于工业电源的DCDC转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 用于需要高压开关的电池管理系统
• 可用于电源转换的同步整流
• 适用于恶劣环境中的高温电源模块

长期运行受哪些热限制条件的制约？


该器件规定的工作温度范围为-55°C至175°C，能够在预期会出现较高结温的高温系统中使用。

它需要哪种封装和安装方式？


它采用TO-263封装，用于表面贴装组装，需安装在具有适当铜箔面积的焊盘上以实现散热。

栅极电荷对于驱动器选型有何影响？


典型栅极总电荷为26 nC，设计人员应选用能够在目标开关时间范围内提供所需电荷的驱动器以限制转换损耗。

栅极和漏极适用于哪些电压限制？


支持的最大栅源电压为20V，而漏源电压额定值为150V，这界定了栅极驱动和负载瞬变的安全工作边界。

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