STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=110 A, 3针, H2PAK, DeepGate, STripFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
860-7523
制造商零件编号:
STH150N10F7-2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

DeepGate, STripFET

包装类型

H2PAK

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

117nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

宽度

10.57mm

高度

4.8mm

长度

10.4mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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