onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 37 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP104N60F, SuperFET II系列

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制造商零件编号:
FCP104N60F
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

37A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SuperFET II

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

104mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30 V ac

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

357W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最高工作温度

150°C

高度

15.215mm

宽度

4.672 mm

长度

10.36mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor


Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。

利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。