STMicroelectronics , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M2系列, STP18N65M2
- RS 库存编号:
- 876-5691
- 制造商零件编号:
- STP18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 5 件）*
¥76.95
(不含税)
¥86.95
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 75 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 + | RMB15.39 | RMB76.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5691
- 制造商零件编号:
- STP18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25/25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 MDmesh M2 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs -25/25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 4.6 mm | ||
高度 15.75mm | ||
长度 10.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。