STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=12 A, 3针, TO-220, MDmesh M2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
876-5691
制造商零件编号:
STP18N65M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

MDmesh M2

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

330mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最大功耗 Pd

110W

最大栅源电压 Vgs

25V, -25V

晶体管配置

单

最高工作温度

150°C

宽度

4.6mm

高度

15.75mm

长度

10.4mm

每片芯片元件数目

1

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics


STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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