Infineon , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 58 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS™ 3系列, IPP126N10N3GXKSA1
- RS 库存编号:
- 892-2273
- 制造商零件编号:
- IPP126N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 892-2273
- 制造商零件编号:
- IPP126N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | OptiMOS™ 3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 OptiMOS™ 3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 23.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 15.95mm | ||
宽度 4.57mm | ||
长度 10.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供广泛而全面的 MOSFET 器件产品组合，涵盖 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。这些器件以业界领先的性能实现更高效率、功率密度与成本效益。对于需要高品质和增强保护功能的设计，采用符合 AEC-Q101 行业标准的汽车级 MOSFET 将带来显著优势。