Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=58 A, 3针, TO-220, OptiMOS™ 3系列

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RS 库存编号:
892-2273
制造商零件编号:
IPP126N10N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

OptiMOS™ 3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

23.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V, -20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

94W

晶体管配置

单

最高工作温度

175°C

高度

15.95mm

宽度

4.57mm

长度

10.36mm

每片芯片元件数目

1

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供广泛而全面的 MOSFET 器件产品组合，涵盖 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。这些器件以业界领先的性能实现更高效率、功率密度与成本效益。对于需要高品质和增强保护功能的设计，采用符合 AEC-Q101 行业标准的汽车级 MOSFET 将带来显著优势。

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