Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 913-4795
制造商零件编号:: IRFR9120NTRPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 913-4795
制造商零件编号:: IRFR9120NTRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	6.6A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	480mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	40W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	27nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.6V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.73mm
	宽度	6.22 mm
	高度	2.39mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 6.6A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 480mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 40W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.6V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.73mm
	宽度 6.22 mm
	高度 2.39mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，6.6A 最大连续漏极电流，40W 最大功率耗散 - IRFR9120NTRPBF

这种 MOSFET 在当代电子电路中发挥着重要作用，尤其是在需要高效电流管理的应用中。其特点是性能高、导通电阻低，适用于各种电气和电子系统。该设备专为满足自动化、电气工程和其他依赖电源管理解决方案的领域的要求而定制。

特点和优势

• 6.6A 的高连续额定漏极电流支持有效运行

• 能够管理高达 100V 的电压，满足苛刻的应用要求

• 采用 DPAK TO-252 封装设计，适合精确的表面贴装

• 480mΩ 的低最大漏极-源极电阻提高了电源效率

• 提供 2V 至 4V 的栅极阈值电压范围，实现可靠控制

• 支持增强模式操作，以提高切换性能

应用

• 用于自动化系统的电源管理

• 用于直流-直流转换器设计

• 适用于工业设备中的大电流开关

• 集成到电源电路中，实现高效性能

• 适用于逆变器电路和电机控制

该产品的最佳工作温度是多少？

最佳工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，可在各种环境下实现高效性能。

栅极阈值电压如何影响性能？

最大栅极阈值电压影响开关行为; 2V 至 4V 的定义范围确保了可靠的开/关条件。

有没有安装该设备的特定方法？

它专为表面贴装应用而设计，特别是在 DPAK TO-252 基底面内，便于集成到 PCB 布局中。

低 RDS(on) 对我的电路意味着什么？

较低的 RDS（on）有助于最大限度地减少运行过程中的功率损耗，从而提高整体系统效率并降低发热量。

该产品能否处理反向电流？

是的，它具有适合有效管理反向电流的特性，可确保各种应用中的稳定性。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列