Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=24 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 915-5023
制造商零件编号:: IRFR4620TRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=24 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

小计（1 包，共 10 件）*

RMB114.80

(不含税)

RMB129.70

70 件将从其他地点发货
另外 3,510 件在 2026年9月25日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 +	RMB11.48	RMB114.80

* 参考价格

RS 库存编号:: 915-5023
制造商零件编号:: IRFR4620TRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	24A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	78mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	144W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.39mm
	长度	6.73mm
	宽度	7.49mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 24A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 78mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 144W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.39mm
	长度 6.73mm
	宽度 7.49mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，最大漏源电压 200V，最大连续漏极电流24A - IRFR4620TRLPBF

这款N沟道增强型MOSFET是一款表面贴装功率晶体管，专为电子系统中的开关和电源转换功能而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛的热环境，并提供高压开关能力，可满足需要稳健漏源性能的应用需求。

特性和优点：

• 200V额定值可实现高压开关能力
• 24A 连续漏极电流支持大负载电流
• 78mΩ导通电阻，提供低导通损耗
• 25nC 典型栅极电荷，可实现快速栅极切换
• 144W最大功耗可承受显著的热负载

应用

• 适用于电源的高压 DCDC 转换器
• 适用于工业系统的电机驱动开关级应用
• 适用于需要 200V 容差的电池管理电路
• 可用于电源模块的同步整流

在快速开关应用中需要考虑哪些栅极驱动因素？

使用能够提供和吸收电流的驱动器，在典型25nC总栅极电荷预算内对栅极进行充电，以平衡开关速度并最小化转换损耗。

热管理对高电流条件下的连续运行有何影响？

为维持24A持续电流和高达144W功耗，请确保具备充足的 PCB 铜箔面积或散热措施，并将结温保持在规定的工作范围内。

为避免损坏，栅极和漏极电压的限值是多少？

请将栅源电压保持在 ±20V 以内，并确保在所有工作条件下，漏源电压均不超过 200V 的最大额定值。

该器件在低温和高温环境中的表现如何？

其规定工作温度范围为-55°C至175°C，因此，设计裕量应考虑在此温度跨度内参数漂移（例如导通电阻变化）。